特許
J-GLOBAL ID：200903085228112330

窒化物半導体素子

発明者：
柳本 友弥

柳本 友弥 について

, 
長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091256
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115642
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 380nmの短波長域において発光効率に優れた発光素子を実現する。【解決手段】 第1導電型層と第2導電型層との間に、活性層12を有する窒化物半導体素子で、活性層12が、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層1と、Alを含む窒化物半導体からなる障壁層2と、を少なくとも有する量子井戸構造であることにより、短波長域で優れた発光効率のレーザ素子が得られる。前記井戸層1が、Al<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0<y≦1、x+y<1)であり、前記障壁層2がAl<SB>u</SB>In<SB>v</SB>Ga<SB>1-u-v</SB>N(0<u≦1、0≦v≦1、u+v<1)であると特に好ましい。
請求項（抜粋）：
第1導電型層と第2導電型層との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層と、Alを含む窒化物半導体からなる障壁層と、を少なくとも有する量子井戸構造である窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C
Fターム (43件)：
5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11 ,  5F073AA20 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM