ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-047404
公開番号（公開出願番号）：特開2005-107476
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】ArFエキシマレーザー光、F2エキシマレーザー光の露光光源使用時に十分な透過性を示し、解像力、感度、現像残渣(スカム)、溶解コントラスト、表面ラフネス、現像欠陥、プロファイル、コンタクトホールパターンの真円性が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)下記の一般式(I)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A1)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を少なくとも1種類有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F7/039 , H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (8件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-236460 出願人：富士写真フイルム株式会社
国際公開第00/17712号パンフレット
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-266846 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

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審査官引用 (11件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-202241 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物及びレジスト膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-203565 出願人：富士写真フイルム株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-108824 出願人：ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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