特許
J-GLOBAL ID：200903036525734889

積層構造体及びその製造方法

発明者：
島岡 五朗

島岡 五朗 について

, 
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331615
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162849
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 基板結晶を含めて全体に亘り良好な格子整合性をなす立方晶の積層構造体のIII -V族化合物半導体成長層に対し、成膜後に窒素以外の第V族構成元素を窒素に置換する技術を施し、III -V族化合物半導体成長層からなる積層構造体に元来、備わっている良好な格子整合性を損なうことなく、III 族窒化物半導体層からなる立方晶積層構造体を得る。【解決手段】 立方晶の単結晶上に、Ba Alb Gac Ind Px Asy (0≦a、b、c、d≦1、a+b+c+d=1、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)を主体とする成長層を形成し、該成長層のリン(P)或いは砒素(As)を窒素(N)で置換し、立方晶のBa Alb Gac Ind Nz Px Asy (0≦x<1、0≦y<1、0 請求項（抜粋）：
立方晶の単結晶上に、Ba Alb Gac Ind Px Asy (0≦a、b、c、d≦1、a+b+c+d=1、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)を主体とする成長層を形成し、該成長層のリン(P)或いは砒素(As)を窒素(N)で置換して形成した立方晶のBa Alb Gac Ind Nz Px Asy (0≦x<1、0≦y<1、0 IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 B
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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