特許
J-GLOBAL ID:200903025444361245
自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-069055
公開番号(公開出願番号):特開2007-246600
出願日: 2006年03月14日
公開日(公表日): 2007年09月27日
要約:
【解決手段】繰り返し単位としてヒドロキシスチレン単位を含み、重量平均分子量が20,000以下であることを特徴とする自己組織化によりミクロドメイン構造のパターンサイズが20nm以下のパターンを形成する自己組織化高分子膜材料。【効果】本発明は、ヒドロキシスチレン単位を含む高分子化合物を、ブロック共重合体として用いたり、他の高分子化合物と配合することで、従来のブロックコポリマーでは難しい、パターンサイズが20nm以下の自己組織化により形成されるミクロドメイン構造のパターンを得ることができ、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料などへ好適な自己組織化材料を与えることが可能である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
繰り返し単位としてヒドロキシスチレン単位を含み、重量平均分子量が20,000以下であることを特徴とする自己組織化によりミクロドメイン構造のパターンサイズが20nm以下のパターンを形成する自己組織化高分子膜材料。
IPC (4件):
C08F 12/22
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, C08F 297/00
FI (4件):
C08F12/22
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502D
, C08F297/00
Fターム (51件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB54
, 2H025CB55
, 2H025EA03
, 4J026HA06
, 4J026HA08
, 4J026HA26
, 4J026HA32
, 4J026HA39
, 4J026HB06
, 4J026HB08
, 4J026HB11
, 4J026HB26
, 4J026HB39
, 4J026HB45
, 4J026HC08
, 4J026HC11
, 4J026HC26
, 4J026HC32
, 4J026HC39
, 4J026HC45
, 4J026HE01
, 4J026HE02
, 4J026HE04
, 4J100AB02Q
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AL03Q
, 4J100AL03R
, 4J100AL16Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA04Q
, 4J100BB17Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA43
, 4J100JA46
, 5F046AA28
引用特許: