半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071584
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281742
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】下部電極を有するMFMIS構造と集積回路を一体化することができる半導体素子、半導体センサーおよび半導体記憶素子を提供する。【解決手段】半導体単結晶基板1上にエピタキシャル成長されたγ-Al2 O3 単結晶膜2を有し、そのγ-Al2 O3 単結晶膜2上にエピタキシャル単結晶Pt薄膜3を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2 O3 単結晶膜を有し、該γ-Al2 O3 単結晶膜上にエピタキシャル単結晶Pt薄膜を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L27/105 , H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (2件)：

H01L27/10 444A , H01L29/78 371

Fターム (9件)：

5F083FR07 , 5F083HA07 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F101BA62

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-267682 出願人：株式会社堀場製作所
半導体記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-057293 出願人：石田誠, 旭化成株式会社
シリコンカンチレバー及びこれを用いた超音波センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-061097 出願人：三洋電機株式会社

全件表示

前のページに戻る