特許
J-GLOBAL ID：200903027139260431

半導体膜付き基板およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-233715
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094487
出願日： 2008年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】単結晶半導体層を有するSOI構造の基板を大面積化する。【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
上面に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、 複数の前記単結晶半導体基板をトレイに配置し、 前記トレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、 前記トレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第1の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/683
FI (7件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/322 X ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/68 N
Fターム (141件)：
5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA08 ,  5F031MA31 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA01 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152CE24 ,  5F152CE48 ,  5F152DD04 ,  5F152DD06 ,  5F152EE11 ,  5F152EE13 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF28 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH05 ,  5F152LL16 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN07 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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