特許
J-GLOBAL ID：200903027217546053

金属ペーストおよび当該金属ペーストを用いた半導体ウェハーへのバンプの形成方法

発明者：
小柏 俊典

小柏 俊典 について

, 
宮入 正幸

宮入 正幸 について


出願人/特許権者：
田中貴金属工業株式会社

田中貴金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-018102
公開番号（公開出願番号）：特開2005-216508
出願日： 2004年01月27日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 硬度のばらつきが少なく且つ必要な硬度を有する範囲でできるだけ軟らかいバンプを形成できる金属ペーストを提供すること。【解決手段】 純度が99.9重量%以上であり、平均粒径が0.005μm〜1.0μmである金(Au)粉、銀(Ag)粉またはパラジウム(Pd)粉から選択される一種以上の金属粉と、有機溶剤と、からなる金属ペーストである。このように金属粉と有機溶剤のみからなりガラスフリットを含有していない金属ペーストを用いると、半導体ウェハー上にバンプを形成する際に適当な軟らかさの硬度を有するバンプを形成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
純度が99.9重量%以上であり、平均粒径が0.005μm〜1.0μmである金粉、銀粉またはパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉と、有機溶剤と、からなる金属ペースト。
IPC (2件)：
H01B1/22 ,  H01L21/60
FI (3件)：
H01B1/22 A ,  H01L21/92 604E ,  H01L21/92 603C
Fターム (5件)：
5G301DA03 ,  5G301DA05 ,  5G301DA11 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM