特許
J-GLOBAL ID：200903027628557706
ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク、ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053115
公開番号（公開出願番号）：特開平9-244211
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 ショットが重なる部分に遮光帯を容易に形成でき、パターニング前に十分な導電性を持つハーフトーン位相シフトフォトマスク。【解決手段】 ブランクは、透明基板上504に、少なくともフッ化クロム化合物を主体とする層を含むハーフトーン位相シフト膜705と、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜706とが積層されてなり、これらをパターニングすることにより、ハーフトーン位相シフト膜705はハーフトーン位相シフターパターンを構成し、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜706はステッパーを用いた転写時に隣接するショット同士で重ねて露光される領域を遮光する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくともフッ化クロム化合物を主体とする層を含むハーフトーン位相シフト膜と、クロムを主体とし単層又は多層からなるフッ素原子を実質的に含まない実質的な遮光膜とが積層されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
