プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323298
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】誘導結合アンテナを用いたプラズマ処理において、試料の処理中に真空容器の内壁面への反応生成物の付着を抑制することを目的とする。【解決手段】誘導結合アンテナ1と静電容量結合アンテナ8の間からインピーダンスの大きさを可変可能な負荷17を介してアースに接地し、負荷17のインピーダンスの大きさを調整することで、静電容量結合放電で生成されるプラズマの割合を調整し、真空容器内壁への反応生成物の付着を抑制する。

請求項（抜粋）：

プラズマが形成される領域を囲む面に対し誘導結合アンテナを配置し、前記誘導結合アンテナが配置されていない部分の面に対し静電容量結合アンテナを配置して、前記誘導結合アンテナと前記静電容量結合アンテナを電気的に直列に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (4件)：

H05H 1/46 L , H05H 1/46 R , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Fターム (20件)：

5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB29 , 5F045AA08 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EB06 , 5F045EH11

引用特許：

審査官引用 (14件)

プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-153020 出願人：ソニー株式会社
プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-136831 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウェハの処理中にクリーニングするためのクリーニング用電極を備えるRFプラズマ反応装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-324326 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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