特許
J-GLOBAL ID:200903029049512272
薄膜ガスセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
森田 雄一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-057190
公開番号(公開出願番号):特開2005-164566
出願日: 2004年03月02日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 耐環境性とともに、複数種類のガスに対するガス選択性およびガス感度を向上させた薄膜ガスセンサを提供する。 【解決手段】 ガス感知層5として、感知層5cと、Pt(白金)を触媒として添加したSnO2層による第1ガス選択燃焼層5hと、Pd(パラジウム)を触媒として担持したAl2O3焼結材である第2ガス選択燃焼層5iと、による二層構造の選択燃焼層としてCO(一酸化炭素)濃度勾配、CH4(メタン)選択性、H2(水素)選択性を向上させた薄膜ガスセンサとする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
貫通孔を有するSi基板と、
この貫通孔の開口部に張られるダイアフラム様の熱絶縁支持層と、
熱絶縁支持層上に設けられるヒーター層と、
熱絶縁支持層およびヒーター層を覆うように設けられる電気絶縁層と、
電気絶縁層上に設けられるガス感知層と、
を備える薄膜ガスセンサであって、
前記ガス感知層は、
電気絶縁層上に設けられる一対の感知電極層と、
一対の感知電極層を渡されるように設けられる感知層と、
感知層の表面に設けられ、第一の触媒を含む薄膜半導体の第1ガス選択燃焼層と、
第1ガス選択燃焼層の表面を覆うように設けられ、第二の触媒を担持した焼結材の第2ガス選択燃焼層と、
を備えることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
IPC (1件):
FI (2件):
G01N27/12 B
, G01N27/12 C
Fターム (17件):
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB08
, 2G046BD03
, 2G046BD04
, 2G046BD05
, 2G046BD06
, 2G046BE03
, 2G046FB02
, 2G046FE03
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE38
, 2G046FE39
引用特許:
出願人引用 (3件)
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096952
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096271
出願人:富士電機株式会社
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ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-105840
出願人:大阪瓦斯株式会社
審査官引用 (13件)
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ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-105840
出願人:大阪瓦斯株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-063223
出願人:大阪瓦斯株式会社, 富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096951
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-370935
出願人:富士電機機器制御株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-063224
出願人:大阪瓦斯株式会社, 富士電機株式会社
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ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096273
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096952
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-304901
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-033325
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-096271
出願人:富士電機株式会社
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一酸化炭素ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-085081
出願人:大阪瓦斯株式会社, 富士電機株式会社
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ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-358023
出願人:大阪瓦斯株式会社, 富士電機株式会社
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省電力一酸化炭素ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-085082
出願人:大阪瓦斯株式会社, 富士電機株式会社
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