赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270348
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094145
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】DDH構造の高速、高出力、長寿命のGaAlAs赤外発光ダイオードを作製するためのエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】p型クラッド層およびp型活性層のドーパントをGeとし、そのキャリヤ濃度を8×1017cm-3以上12×1017cm-3未満、p型活性層の層厚を0.5μm以上1.2μm以下で酸素濃度を3×1016cm-3未満とする。

請求項（抜粋）：

p型GaAs単結晶基板上に、第1のp型層(Ga1-x1Alx1As,0.18≦x1≦0.25)、p型クラッド層(Ga1-x2Alx2As,0.15≦x2≦0.23)、発光波長が850〜900nmになるように調整したp型活性層(Ga1-x3Alx3As,0≦x3≦0.03)、n型クラッド層(Ga1-x4Alx4As,0.10≦x4≦0.33)、及び第2のn型層(Ga1-x5Alx5As,0.10≦x5≦0.33)を順次液相エピタキシャル法にて積層した後、該p型GaAs単結晶基板を除去することからなる赤外発光素子用エピタキシャル基板において、p型クラッド層及びp型活性層のドーパントとしてゲルマニウムを用い、かつそのキャリア濃度が8×1017cm-3以上12×1017cm-3未満であることを特徴とする赤外発光素子用エピタキシャル基板。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , C30B 29/40 , C30B 29/40 501 , H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 33/00 A , C30B 29/40 D , C30B 29/40 501 A , H01L 21/208 D

Fターム (41件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE47 , 4G077CG02 , 4G077ED06 , 4G077EG06 , 4G077EG13 , 4G077FJ04 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 5F041AA02 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA63 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CB36 , 5F041FF14 , 5F053AA03 , 5F053BB04 , 5F053BB08 , 5F053BB13 , 5F053BB26 , 5F053BB52 , 5F053DD05 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK02 , 5F053KK04 , 5F053KK08 , 5F053LL02

引用特許：

審査官引用 (13件)

発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-236975 出願人：日立電線株式会社
エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-014936 出願人：日立電線株式会社
特開昭61-222285

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