特許
J-GLOBAL ID：200903029895304984
結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-072141
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250816
出願日： 2006年03月16日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】ヒータ寿命が長く、且つ、到達温度が高い結晶成長装置を実現する。【解決手段】結晶基板支持部10は、蓋部12と、アルミナスリーブ14と、石英管16と、を備えている。蓋部12の上には結晶基板100が載置され、上方から原料ガスが導入される。アルミナスリーブ14は、円筒状をなしており、その円筒の一方端には蓋部12が配置される。さらにこの一方端の内部には第1の平面ヒータ18aと、第2の平面ヒータ18bとが重畳して取り付けられている。第1の平面ヒータ18aと第2の平面ヒータ18bとは電気的に直列に接続されており、同じ電力の場合、電流値を小さく電圧値を大きくすることができる。電流値が小さくなるので、電源コード等を細くすることができ、さらに水銀接点等の発熱を抑制できる。さらに、平面ヒータ18を2枚で構成したので、発生する熱量をより多くすることができ、高温をより容易に実現可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶が成長する基板結晶を加熱するヒータ手段を備えた結晶成長装置において、
前記ヒータ手段は、
第1の平面ヒータと、
前記第1の平面ヒータと平行に設けられている第2の平面ヒータと、
前記第1の平面ヒータと前記第2の平面ヒータとを電気的に接続する接続手段と、
を含み、前記第1の平面ヒータと前記第2の平面ヒータとは電気的に直列に接続されていることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C30B 25/10
, C23C 16/46
, H05B 3/14
, H05B 3/20
, H05B 3/74
H01L21/205
, C30B25/10
, C23C16/46
, H05B3/14 F
, H05B3/14 G
, H05B3/20 328
, H05B3/74
3K034AA05
, 3K034AA09
, 3K034AA21
, 3K034AA34
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034JA10
, 3K092PP09
, 3K092QA05
, 3K092QB14
, 3K092QB16
, 3K092QB31
, 3K092QB43
, 3K092QB48
, 3K092RF03
, 3K092RF08
, 3K092RF22
, 3K092VV15
, 3K092VV21
, 3K092VV31
, 4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077EG16
, 4G077TE00
, 4G077TE03
, 4G077TE05
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030KA22
, 4K030KA23
, 4K030KA47
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045BB08
, 5F045DA52
, 5F045EJ03
, 5F045EK07
, 5F045EK08
, 5F045GB05
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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