特許
J-GLOBAL ID：200903031227281683
半導体素子、ハンダボール転写シート、インクジェット方式によるバンプ形成方法及びインク組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武井 秀彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340384
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179205
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】バンプ形成工程を短縮し、しかもファインピッチ化が可能なインクジェット方式によるバンプ形成方法を提供する。【解決手段】基材2の一面に、バンプ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ対応させてハンダボール5を配置する第1の工程と、インクジェット方式により前記バンプ形成対象物の各前記バンプ形成位置上に導電性接着剤6を供給する第2の工程と、各前記ハンダボール5とそれぞれ対応する前記バンプ形成位置とを前記導電性接着剤6を介して当接させるように前記基材と前記バンプ形成対象物とを突き合わせ、各前記ハンダボール5とそれぞれ対応する前記バンプ形成位置とを位置決めする第3の工程と、前記導電性接着剤を固化させることにより、各前記ハンダボール5をそれぞれ対応する前記バンプ形成位置に固着させる第4の工程と、前記基材を引き離す第5の工程とを備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
バンプ形成対象物表面の複数のバンプ形成位置にそれぞれバンプを形成するバンプ形成方法にて、基材の一面に、前記バンプ形成対象物の各前記バンプ形成位置にそれぞれ対応させてハンダボールを配置する第1の工程と、インクジェット方式により前記バンプ形成対象物の各前記バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給する第2の工程と、各前記ハンダボールとそれぞれ対応する前記バンプ形成位置とを前記導電性接着剤を介して当接させるように前記基材と前記バンプ形成対象物とを突き合わせ、各前記ハンダボールとそれぞれ対応する前記バンプ形成位置とを位置決めする第3の工程と、前記導電性接着剤を固化させることにより、各前記ハンダボールをそれぞれ対応する前記バンプ形成位置に固着させる第4の工程と、前記バンプ形成対象物の各前記バンプ形成位置にそれぞれ固着させ得られたバンプから、前記基材を引き離す第5の工程とを備えることを特徴とするバンプ形成方法により形成されたバンプ径30μm以下であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/92 604H
, C09D11/00
, H01L21/92 604F
, H01L21/92 603C
4J039BA04
, 4J039BA06
, 4J039BE12
, 4J039BE22
, 4J039BE29
, 4J039DA07
, 4J039DA08
, 4J039EA24
, 4J039GA24
