特許
J-GLOBAL ID：200903031530711569

新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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大橋 正樹

大橋 正樹 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-243560
公開番号（公開出願番号）：特開2008-106045
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。RC(=O)R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a) (Rは水酸基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基。R1は酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を持つ置換基を有してもよい二価有機基で、Rと共に環状構造を形成してもよい。)【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。 RC(=O)R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a)
IPC (10件)：
C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 43/225 ,  C07C 311/09 ,  C07D 333/46 ,  C07D 307/93
FI (11件)：
C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C07C43/225 C ,  C07C311/09 ,  C07D333/46 ,  C07D307/93
Fターム (21件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF23 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  4C037AA02 ,  4C037UA05 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)

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