特許
J-GLOBAL ID：200903032466101502

薄膜形成のための前処理方法

発明者：
上島 聡史

上島 聡史 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119895
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】【課題】 狭小化された薄膜パターンを形成するのに適した前処理方法を提供する。【解決手段】 薄膜形成対象物1に、薄膜形成領域12を画定するレジストフレーム21、22を形成する。次に、選択された前処理液を、薄膜形成領域12における最小フレーム間隔W1よりは小さい粒径の粒子を含むように微粒化して、前処理液の微粒子P1の存在する雰囲気30を形成する。そして、雰囲気30内に薄膜形成対象物1をおき、薄膜形成領域12に微粒子P1を付着させる。
請求項（抜粋）：
薄膜形成のための前処理方法であって、薄膜形成対象物に、薄膜形成領域を画定するレジストフレームを形成し、選択された前処理液を、前記薄膜形成領域における最小フレーム間隔よりは小さい粒径の粒子を含むように微粒化して、前記前処理液の微粒子の存在する雰囲気を形成し、前記雰囲気内に前記薄膜形成対象物をおき、前記薄膜形成領域に前記微粒子を付着させる工程を含む前処理方法。
IPC (5件)：
C25D 5/34 ,  C25D 5/02 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/48
FI (5件)：
C25D 5/34 ,  C25D 5/02 B ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  H01L 23/48 P
Fターム (10件)：
4K024AB08 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CB26 ,  4K024DA03 ,  4K024DA04 ,  4K024DA10 ,  4K024FA05 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16
引用特許：
審査官引用 (16件)
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