特許
J-GLOBAL ID：200903034166136382
再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
岸田 正行
, 水野 勝文
, 高野 弘晋
, 小川 英宣
, 川上 成年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-295103
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108690
出願日： 2005年10月07日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することによって、ウェーハ当たりチップの個数が減少しないようにするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】再配線基板は、透明絶縁基板110に絶縁層をパターニングして形成されたパターン突起116と、その上に形成された再配線118とを含む。再配線基板は、ウェーハと別体に製造された後、ウェーハと接合される。パターン突起は、対をなし、一方は、ウェーハの活性面のチップパッド214に接触し、他方は、ウェーハのチップ領域に形成された貫通孔に対応する。貫通孔を介してウェーハの非活性面までに導電性配線223が形成され、導電性配線の一部に外部接続端子230が形成されている。すなわち、チップパッドは、再配線基板のパターン突起及び貫通孔内部の導電性配線により外部接続端子に電気的に連結されている。【選択図】図4i
請求項（抜粋）：
(a)透明絶縁基板及び前記透明絶縁基板に形成された再配線を有する再配線基板を作製する工程と、
(b)活性面及び少なくとも一つの非活性面を有する半導体基板を有し、前記活性面にチップパッドが形成されたウェーハを用意する工程と、
(c)前記再配線の第1部分が前記チップパッドと接触するように、前記再配線基板を前記ウェーハに接合する工程と、
(d)前記活性面から前記非活性面に延びる貫通孔を前記ウェーハに、前記再配線の第2部分が前記貫通孔に露出するように形成する工程と、
(e)前記貫通孔及び前記非活性面に導電性配線を形成する工程と、
(f)前記非活性面に形成される前記導電性配線に外部接続端子を形成する工程と、
(g)前記再配線基板及び前記ウェーハをスクライブ線にそって分離する工程と、
を備えることを特徴とするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/52
, H01L 21/320
H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH35
, 5F033HH38
, 5F033JJ01
, 5F033JJ07
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033JJ13
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK09
, 5F033KK11
, 5F033KK13
, 5F033MM08
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033QQ41
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033VV07
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)
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