特許
J-GLOBAL ID：200903034627638156
試料加工方法、試料加工装置及び試料観察方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121697
公開番号（公開出願番号）：特開2005-308400
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く簡便に表面保護膜を形成でき、高アスペクト比コンタクトホールのようにデポジションによって空隙が出来易い試料に対しても、断面構造が観察でき、コンタクトホール内部の形状情報を非破壊で得られるTEM試料ができる試料加工方法及び試料加工装置を提供する。【解決手段】従来、試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション(FIBAD)膜の代わりに、対象試料とは別の薄膜部品5を加工位置に移設固定して保護膜とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
集束イオンビームを照射して試料を加工する試料加工方法において、
試料室内に準備した薄膜部品を上記試料の表面に移設する薄膜移設工程と、
上記集束イオンビームを上記薄膜部品に照射して上記薄膜部品と共に上記薄膜部品の直下にある上記試料を加工して上記試料の断面を作製する加工工程と、
を含むことを特徴とする試料加工方法。
IPC (7件)：
G01N1/28
, G01N1/32
, G01N23/04
, G01N23/225
, H01J37/20
, H01J37/305
, H01J37/317
G01N1/28 G
, G01N1/32 B
, G01N23/04
, G01N23/225
, H01J37/20 Z
, H01J37/305 A
, H01J37/317 D
, G01N1/28 F
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA11
, 2G001CA03
, 2G001GA06
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001KA04
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001PA12
, 2G001RA04
, 2G001RA10
, 2G001RA20
, 2G052AA13
, 2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052DA33
, 2G052EC18
, 2G052EC22
, 2G052FD06
, 2G052FD20
, 2G052GA34
, 2G052GA35
, 2G052JA04
, 2G052JA08
, 5C001BB07
, 5C034AA02
, 5C034AB04
, 5C034BB06
, 5C034BB09
, 5C034DD09
出願人引用 (2件)
-
特表99-05506号公報
-
断面加工方法及び装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-182259
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (12件)
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