特許
J-GLOBAL ID:200903036169993130

改良された露光後特性を有する193nmレジスト

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-539024
公開番号(公開出願番号):特表2006-501495
出願日: 2003年08月28日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
遠位の酸不安定部分含有ペンダント基をもつモノマー単位を有する酸感応性ポリマーからなる像形成ポリマー成分を含有するレジスト組成物の使用により、193nm放射線、及び/又は場合によっては他の放射線を用いて像形成可能であり、改良された現像特性のレジスト構造を形成するために現像可能であり、かつ改良された耐エッチング性のレジスト構造が可能となる、酸触媒ポジ型レジスト組成物が得られた。
請求項(抜粋):
(a)像形成ポリマー成分と、(b)放射線感応性酸発生剤とを含むレジスト組成物であって、前記像形成ポリマー成分が、その重合部分から延びるペンダント基をもつモノマー単位を有する酸感応性ポリマーを含み、前記重合部分が、前記酸感応性ポリマーの主鎖の一部を形成し、前記ペンダント基が、非酸不安定スペーサ部分によって前記重合部分から隔離された遠位の酸不安定部分を含有する、レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R
Fターム (16件):
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096FA00 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04
引用特許:
出願人引用 (31件)
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審査官引用 (12件)
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