特許
J-GLOBAL ID：200903038740010746

パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-190478
公開番号（公開出願番号）：特開2009-093150
出願日： 2008年07月24日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位と酸によってアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、現像し、その後波長200nm以下の高エネルギー線の照射によって第1のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第2のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第2のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で露光し、現像する工程を有するパターン形成方法。【効果】本発明によれば、第1のポジ型レジスト材料で、第1のパターンを形成後、これをアルカリ現像液とレジスト溶液に不溶化する。その上に更に第2のレジスト材料を塗布、露光現像することにより、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行うことができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ナフトールを有する繰り返し単位と酸によってアルカリ溶解性が向上する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像し、その後波長200nm以下の高エネルギー線の照射によって第1のレジスト膜を架橋硬化させ、その上に第2のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第2のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記第2のレジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液を用いて第2のレジスト膜を現像する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  C08F 220/30
FI (6件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14 ,  C08F220/30 ,  G03F7/40 501
Fターム (52件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC49P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)

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