特許
J-GLOBAL ID：200903038851335644

強誘電体膜を含んだ電子素子とその製造方法

発明者：
近藤 正雄

近藤 正雄 について

, 
栗原 和明

栗原 和明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-102990
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294308
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 半導体基板の面方位を基準としたエピタキシャル成長を伴った強誘電体膜に関し、結晶性および配向性を高めて結晶軸方向に与える電界に効率よく分極する積層膜構造体と、その製造方法及びそれを用いて好ましい電子素子とを提供する。【解決手段】 半導体基板上にイットリウム安定化ジルコニウム膜、岩塩構造を有する膜を順次エピタキシャル成長させた後、次いで単純ペロブスカイト構造を有する強誘電体膜をエピタキシャル成長させる。前記強誘電体膜は、前記イットリウム安定化ジルコニウムの結晶軸に対して45度面内回転することで結晶性および配向性を高めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(001)単結晶基板と、 前記(001)単結晶基板表面上にエピタキシャル成長した第1の膜と、 前記第1の膜に接して、尚且つ前記第1の膜が固有に有している回転角度に応じて、(001)面を面内回転して成長させる単純ペロブスカイト構造を有する第2の膜と を含む電子素子。
IPC (6件)：
H01L27/105 ,  G02F1/035 ,  G02F1/295 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22
FI (8件)：
H01L27/10 444B ,  G02F1/035 ,  G02F1/295 ,  H01L27/10 444A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 Z
Fターム (36件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA03 ,  2H079EA02 ,  2H079EB04 ,  2K002AA02 ,  2K002AB03 ,  2K002BA06 ,  2K002CA02 ,  2K002DA05 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR06 ,  5F083GA27 ,  5F083HA08 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5J097AA31 ,  5J097BB11 ,  5J097EE08 ,  5J097FF02 ,  5J097GG06 ,  5J097HA03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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