特許

J-GLOBAL ID：200903039104514528

半導体装置の製造方法

発明者： 福田 憲司 ,  先崎 純寿 ,  小杉 亮治 ,  荒井 和雄 ,  鈴木 誠二
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256973
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069012
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】(11-20)面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高チャネル移動度を有するSiC半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】半導体領域は、(11-20)面の炭化珪素からなる領域が形成された半導体領域であり、また、ゲート絶縁膜は、ゲート酸化膜であり、さらに、該半導体領域の表面を清浄にする工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜を形成した後に、水素または水蒸気を含んだ雰囲気で熱処理することにより、上記のゲート酸化膜と上記の半導体領域の界面の界面準位密度を低減せしめる工程とを含むプロセスでSiC半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、上記の半導体領域に電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、半導体領域は、(11-20)面の炭化珪素からなる領域が形成された半導体領域であり、さらに、該半導体領域の表面を清浄にする工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜を形成した後に、H2(水素)あるいはH2O(水)を含んだ雰囲気で熱処理することにより、上記のゲート絶縁膜と上記の半導体領域の界面の界面準位密度を低減せしめる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (26件)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF63 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052396   出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
• 炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-518224   出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140681   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-310865   出願人：株式会社デンソー
• 金属、酸化膜及び炭化珪素半導体からなる積層構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-027979   出願人：日本原子力研究所

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-310865   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052396   出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
• 炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-518224   出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140681   出願人：株式会社デンソー

引用文献：

出願人引用 (5件)

• A Cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transi
• Reduction of interface-state density in 4H-SiC n-type metal-oxide-semiconductor structures using hig
• Effects of ozone treatment of 4H-SiC(0001) surface
• Effect of oxidation and reoxidation on the oxide-substrate interface of 4H- and 6H-SiC
• High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors

審査官引用 (4件)

• A Cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transi
• Reduction of interface-state density in 4H-SiC n-type metal-oxide-semiconductor structures using hig
• Effects of ozone treatment of 4H-SiC(0001) surface
• Effect of oxidation and reoxidation on the oxide-substrate interface of 4H- and 6H-SiC