特許
J-GLOBAL ID：200903039224572947

研磨パッド、それを用いた研磨方法および半導体デバイスの製造方法

発明者：
菊池 博文

菊池 博文 について

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金田 俊二

金田 俊二 について

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加藤 充

加藤 充 について

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加藤 晋哉

加藤 晋哉 について

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岡本 知大

岡本 知大 について


出願人/特許権者：
株式会社クラレ

株式会社クラレ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-071974
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235508
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】 被研磨基材の研磨速度と研磨均一性に優れ、且つスクラッチの発生が極めて少ない研磨パッド、それを用いた研磨方法および半導体デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 研磨層を有する研磨パッドであって、該研磨層は研磨表面を有し、該研磨表面から得られる粗さ曲線が下記の条件(1)および(2);(1)切断レベル30%での負荷長さ率(Rmr0.3)が3〜40%、(2)最大高さ粗さ(Rz)が10〜40μm、を満たす研磨パッド、それを用いた研磨方法および半導体デバイスの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
研磨層を有する研磨パッドであって、該研磨層は研磨表面を有し、該研磨表面から得られる粗さ曲線が下記の条件(1)および(2); (1)切断レベル30%での負荷長さ率(Rmr0.3)が3〜40%、 (2)最大高さ粗さ(Rz)が10〜40μm、 を満たす研磨パッド。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00
FI (3件)：
H01L21/304 622F ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 A
Fターム (9件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA19 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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