特許
J-GLOBAL ID：200903040495805023

熱処理装置および基板処理装置

発明者：
林 豊秀

林 豊秀 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110793
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 誘電率の低い所定の膜を形成することができ、しかも処理効率の高い熱処理装置およびその熱処理装置を組み込んだ基板処理装置を提供する。【解決手段】 ガス供給口16からチャンバ15内に流入した窒素ガスは拡散フィルタ18によって拡散され、水平方向に流れる均一な層流を形成し、開口41から流れ出るため、外気の流入が防止され、チャンバ15内部は低酸素濃度雰囲気に維持される。そのチャンバ15内においてヒータ30により基板の熱処理を行うことにより、基板上の膜に酸素分子が取り込まれるのを防止することができ、膜の誘電率を低くすることができる。また、チャンバ15内において、冷却水が循環される搬送アーム60上に基板Wを保持することによって迅速に基板Wを冷却することができるため、処理時間が短くなり、高い処理効率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
処理液が塗布された基板に熱処理を施すことによって前記基板上に所定の膜を形成する熱処理装置であって、低酸素濃度雰囲気に維持され、基板に前記熱処理を行うための処理室と、前記処理室内に設けられ、前記処理室に搬入された基板を載置して加熱する加熱手段と、前記処理室に対して進退移動可能に設けられ、前記処理室への基板の搬入および前記処理室からの基板の搬出を行う搬出入手段と、前記搬出入手段に設けられ、前記搬出入手段に保持された基板を冷却する冷却手段と、を備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H05K 3/28
FI (2件)：
H01L 21/31 A ,  H05K 3/28 Z
Fターム (18件)：
5E314AA21 ,  5E314AA36 ,  5E314BB01 ,  5E314CC01 ,  5E314DD06 ,  5E314EE10 ,  5E314FF03 ,  5E314GG24 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045DQ14 ,  5F045EB19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EK01 ,  5F045EN04 ,  5F045HA24
引用特許：
審査官引用 (14件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-260431   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 熱処理方法及び熱処理装置並びに処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-273757   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
  • 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068189   出願人：株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM