特許
J-GLOBAL ID:200903042002868237
フォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法。
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-008826
公開番号(公開出願番号):特開2005-331913
出願日: 2005年01月17日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】半導体集積回路または液晶ディスプレー製造工程に用いられ、フォトレジスト及びフォトレジスト変質膜に対する剥離性に優れ、高温処理条件及び洗浄条件でも基板の防腐性に優れたフォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれを用いてフォトレジスト剥離工程後に別の洗浄段階なしに直ぐに超純水で洗浄する方法に関する。【解決手段】アルカノールアミン5-20重量%;非イオン性極性溶剤10-40重量%;グリコールエーテル35-75重量%;ならびに以下の化学式1で表示される無水フタル酸類、化学式2で表示されるフタリド類、および化学式3で表示される無水ナフタル酸類 【化5】からなる群より選択された1種以上の添加剤0.1-5重量%を含むフォトレジスト用ストリッパー組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
アルカノールアミン5-20重量%、非イオン性極性溶剤10-40重量%、グリコールエーテル35-75重量%、ならびに以下の化学式1で表示される無水フタル酸類、化学式2で表示されるフタリド類、および化学式3で表示される無水ナフタル酸類
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/42
, H01L21/30 572B
Fターム (6件):
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096LA03
, 5F046MA02
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
特開昭62-49355号
-
特開昭64-42653号
-
レジスト用剥離液組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-032817
出願人:東京応化工業株式会社
-
米国特許第5、962、385号
-
レジスト剥離液組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-246712
出願人:東京応化工業株式会社
-
特開平4-124668号
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る