特許
J-GLOBAL ID：200903042605801480
半導体基板上の積層構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152277
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306009
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】シリコン基板上に(110)配向したPt薄膜を形成し、優れた特性の強誘電体素子を得ることを目的とする。【解決手段】MFMIS構造2の最下層のシリコン基板4上には、γ-Al2O3膜6が形成されている。γ-Al2O3膜6の直上には、酸化物導電体であるLaNiO3膜8が形成されている。LaNiO3膜8の直上には、下部電極材料であるPt膜10が形成され、さらにその直上に強誘電体材料であるPZT薄膜10が形成されている。PZT薄膜10の上面には、上部電極であるPt層12が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にLaNiO3(LNO)薄膜を有し、前記LNO膜上部にさらに(110)配向したPt薄膜を備えることを特徴とする半導体基板上の積層構造。
IPC (3件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 21/316
H01L27/10 444A
, H01L21/316 M
5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BB05
, 5F058BB06
, 5F058BC03
, 5F058BD02
, 5F058BD05
, 5F058BE10
, 5F058BF02
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BH20
, 5F058BJ01
, 5F083FR07
, 5F083GA25
, 5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083JA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA45
, 5F083PR25
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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