特許
J-GLOBAL ID：200903043812471488
電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341558
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128507
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】窒化物半導体材料をベースとして、n導電性の半導体層11、p導電性半導体層13、その間の電磁ビーム生成領域12を有してエピタキシャル製造された半導体層スタック1と、支持板50と、その間に配置され、半導体層スタックから支持板方向に送射された電磁ビームを反射するミラー層40とを備えて成る半導体チップの光取り出し効率がそれ程技術コストをかけずに高められるようにする。【解決手段】ミラー層は、ビーム生成領域の主延在面に対して斜めに存在しておりかつ該主延在面に対してそれぞれ10°および50°の間の角度をなしている複数の平坦な反射部分面14を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電磁ビームを放出する半導体チップであって、
窒化物半導体材料をベースとしてエピタキシャル形成された半導体層スタック(1)を備え、該半導体層スタックはn導電性の半導体層(11)と、p導電性半導体層(13)と、該両半導体層(11,13)間に配置されている、電磁ビームを生成する領域(12)とを有しており、
前記半導体層スタック(1)が配置されている支持板(50)を備え、かつ
該半導体層スタック(1)と支持板(50)との間に配置されているミラー層(40)を備え、該ミラー層は該半導体層スタック(1)から前記支持板(50)の方向に送射された電磁ビームを反射する
そういう形式のものにおいて、
前記ミラー層(40)は複数の平坦な反射部分面(14)を有しており、該反射部分面は前記ビームを生成する領域(12)の主延在面に対して斜めに存在しておりかつ該主延在面に対してそれぞれ10°および50°の間の角度をなしている
ことを特徴とする半導体チップ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041AA06
, 5F041AA42
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (16件)
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