特許
J-GLOBAL ID：200903045172051013

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
中村 明弘

中村 明弘 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084729
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267437
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】リーク電流増大について不揮発性メモリ特有の原因を探った実験結果をもとに、その原因によるリーク電流を適切に低減する。【解決手段】電気的に書き込みおよび消去が可能な複数の記憶素子を有し、各記憶素子のゲート電極(ワード線WL2,WL3)下方および隣接する記憶素子のゲート電極間で複数の絶縁膜2,3,4を積層して形成された積層絶縁膜1内に離散化された電荷蓄積手段(キャリアトラップ)を含む。その製造において、半導体基板上に離散化された電荷蓄積手段を含む積層絶縁膜1を形成した後に、当該電荷蓄積手段に向けて紫外線UVを照射する。あるいは、ゲート電極間の積層絶縁膜1を表面から掘って電荷蓄積手段を除去する。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込みおよび消去が可能な複数の記憶素子を有し、各記憶素子のゲート電極下方および隣接する記憶素子のゲート電極間で複数の絶縁膜を積層して形成された積層絶縁膜内に離散化された電荷蓄積手段を含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板上に上記離散化された電荷蓄積手段を含む積層絶縁膜を形成した後に、当該電荷蓄積手段に向けて紫外線を照射する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (26件)：
5F001AA14 ,  5F001AA34 ,  5F001AA43 ,  5F001AB02 ,  5F001AD70 ,  5F001AF25 ,  5F001AG17 ,  5F083EP03 ,  5F083EP07 ,  5F083EP18 ,  5F083EP77 ,  5F083EP79 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA56 ,  5F083KA06 ,  5F083KA12 ,  5F083LA12 ,  5F083PR01 ,  5F083PR40 ,  5F101BA16 ,  5F101BA46 ,  5F101BB02 ,  5F101BD30 ,  5F101BF09 ,  5F101BH30
引用特許：
審査官引用 (12件)
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