特許
J-GLOBAL ID：200903046380451927
圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-311790
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124738
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを複数個配置して磁場を制御して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を、成膜する側でない基材背面に備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを複数個配置して磁場を制御して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を、成膜する基材背面に備えていることを特徴とする圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA46
, 4K029CA03
, 4K029DD05
, 4K029EA03
, 4K029EA08
, 4K029FA05
, 4K029GA02
, 4K029JA10
, 4K029KA03
出願人引用 (2件)
-
真空成膜装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-078958
出願人：中外炉工業株式会社, 大日本印刷株式会社
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特公平6-21349号公報 しかし、ここに記載のものは、電気的絶縁性物質を成膜する場合、上記のチャージアップの進行に起因する問題や、成膜された基材への帯電の問題を考慮した構造ではなく、充分安定的に成膜することができず、問題となっていた。
審査官引用 (22件)
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