特許
J-GLOBAL ID:200903046742325925
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉武 賢次 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-373954
公開番号(公開出願番号):特開2003-258251
出願日: 2002年12月25日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 微細化しても性能の劣化を抑制することを可能にする。【解決手段】 半導体基板に形成された第1導電型の半導体領域2aと、この第1導電型の半導体領域上に形成されたゲート電極8aと、このゲート電極直下の第1導電型の半導体領域に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域の両側の第1導電型の半導体領域に形成されるソースおよびドレインとなる第2導電型の第1の拡散層16、20と、を備え、ゲート電極は、ポリシリコンゲルマニウムからなっていてかつゲルマニウムの濃度が、ソース側およびドレイン側の内の少なくとも一方が中央部に比べて高くなるように構成されている。
請求項(抜粋):
半導体基板に形成された第1導電型の半導体領域と、この第1導電型の半導体領域上に形成されたゲート電極と、このゲート電極直下の前記第1導電型の半導体領域に形成されるチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記第1導電型の半導体領域に形成されるソースおよびドレインとなる第2導電型の第1の拡散層と、を備え、前記ゲート電極は、ポリシリコンゲルマニウムからなっていてかつゲルマニウムの濃度が、ソース側およびドレイン側の内の少なくとも一方が中央部に比べて高くなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 29/78
, H01L 21/8234
, H01L 21/8238
, H01L 27/088
, H01L 27/092
, H01L 29/423
, H01L 29/49
FI (5件):
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/58 G
, H01L 27/08 102 C
, H01L 27/08 321 D
Fターム (66件):
4M104BB21
, 4M104BB25
, 4M104BB36
, 4M104BB38
, 4M104DD02
, 4M104DD19
, 4M104DD57
, 4M104DD84
, 4M104DD86
, 4M104FF01
, 4M104FF13
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F048AA07
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048BA14
, 5F048BB01
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BB07
, 5F048BC06
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BF11
, 5F048DA25
, 5F048DA30
, 5F140AA11
, 5F140AA21
, 5F140AA25
, 5F140AA39
, 5F140AB03
, 5F140BA01
, 5F140BB04
, 5F140BB13
, 5F140BC13
, 5F140BE07
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BF32
, 5F140BF37
, 5F140BG08
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG28
, 5F140BG34
, 5F140BG45
, 5F140BG49
, 5F140BH15
, 5F140BH47
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BJ27
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK16
, 5F140BK21
, 5F140BK25
, 5F140BK34
, 5F140BK39
, 5F140CB04
, 5F140CB08
, 5F140CE07
, 5F140CF04
引用特許:
引用文献:
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