特許
J-GLOBAL ID：200903095546381540

透明酸化物半導体薄膜トランジスタ

発明者：
カルシア,ピーター・フランシス

カルシア,ピーター・フランシス について

, 
マクリーン,ロバート・エス

マクリーン,ロバート・エス について


出願人/特許権者：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー について


代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-543769
公開番号（公開出願番号）：特表2006-502589
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
本発明は、新規な透明酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)およびその製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
a)不活性ガスと混合された酸素の有効分圧でのアンドープTOSの物理蒸着と、 b)酸素の有効分圧でのアンドープTOSの抵抗蒸発と、 c)酸素の有効分圧でのアンドープTOSのレーザー蒸発と、 d)酸素の有効分圧でのアンドープT-OSの電子ビーム蒸発と、 e)酸素の有効分圧でのアンドープT-OSの化学蒸着と よりなる群から選択される方法を含んでなる、電界効果トランジスタにおいて、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫および酸化カドミウムよりなる群から選択されるアンドープ透明酸化物半導体を付着する方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  C23C14/08 C ,  H01L29/78 618A
Fターム (33件)：
4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029HA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
  • 米国特許第4204217号明細書
審査官引用 (12件)
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