特許

J-GLOBAL ID：200903048441160516

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 長嶺 真 ,  永瀬 俊彦 ,  池川 純夫 ,  西山 勝哉 ,  吉川 将寿
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-183718
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005555
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】耐熱性の向上とMR比の向上とを両立することが可能な磁気抵抗効果素子を提案する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、第1の面と第2の面とを備え、第1の標準電極電位Vを有する第1の磁性層113と、第2の磁性層111と、第1の磁性層113の第1の面と第2の磁性層111との間に設けられたバリア層112と、第1の磁性層113の第2の面と接し、第1の標準電極電位Vより低い第2の標準電極電位V1を有する第1の金属材M1と第1の標準電極電位Vより高い第3の標準電極電位V2を有する第2の金属材M2との合金で形成され、非磁性材料からなるキャップ層114とを具備する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

第1の面と第2の面とを備え、第1の標準電極電位を有する第1の磁性層と、 第2の磁性層と、 前記第1の磁性層の前記第1の面と前記第2の磁性層との間に設けられたバリア層と、 前記第1の磁性層の前記第2の面と接し、前記第1の標準電極電位より低い第2の標準電極電位を有する第1の金属材と前記第1の標準電極電位より高い第3の標準電極電位を有する第2の金属材との合金で形成され、非磁性材料からなるキャップ層と を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L43/08 H ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-193230   出願人：TDK株式会社
• 米国公開US2005/0008849号公報
  
• 巨大磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-394415   出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-236287   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-151977   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-369692   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果センサ及び該センサを用いた磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-011986   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-119830   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-273992   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果センサ及び該センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030169   出願人：ティーディーケイ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "科学大辞典", 20050228, 第2版, p.1264