特許
J-GLOBAL ID：200903048451076580
ウエハ・スクライブ領域の金属低減
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-502974
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516824
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
半導体ウエハ101のスクライブ領域103から金属を除去する工程に関する。除去される金属には、スクライブ領域のソー・パス111内の露出された金属と、スクライブ領域のクラック停止トレンチの金属とが含まれ得る。一例では、ウエハをウェット・エッチングすることによって、スクライブ領域から銅が除去される。一例では、ウエハ表面上の露出されたバリア接着層203の除去後に、ウェット・エッチング工程が行われる。ソー・パス111内の金属を除去することによって、ウエハのダイ領域1007のシンギュレーション中にソー・ブレード903に付着する金属の量が低減され得る。
請求項（抜粋）：
半導体ダイの形成方法において、
ウエハを設ける工程と、前記ウエハは基板と、同基板の上に位置し、かつ相互接続金属を有する複数の層から成るスタック層とを有し、前記スタック層は複数のダイを分割するスクライブ領域の内部のソー・パス表面の一部分において露出する金属を有し、前記露出する金属のうち一部は前記複数の層の中に延びていることと、
前記スタック層の上に選択的に位置する誘電体パッシベーション層を形成する形成工程と、
前記スクライブ領域のソー・パス内にリセス領域を形成するために、前記ソー・パス内で少なくとも第1の深さまで露出する金属を除去する除去工程とから成る方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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