特許
J-GLOBAL ID：200903049322009733

排ガス処理装置

発明者：
鈴木 克昌

鈴木 克昌 について

, 
石原 良夫

石原 良夫 について

, 
山脇 正也

山脇 正也 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-157473
公開番号（公開出願番号）：特開2006-326553
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 PFCの再結合を防止して、高いPFC除去率を達成できると共に、励起部下段での配管詰りや機器故障などのトラブルを防止した排ガス処理装置を提供する。【解決手段】 半導体製造装置1から排出される排ガスに含まれる有害ガス成分を除去する装置であって、有害ガス成分の一部を除去する反応除去部A41と、有害ガス成分の残部を活性化させる励起部42と、励起部42で活性化された有害ガス成分を除去する反応除去部B43と、半導体製造装置1及び励起部42を減圧するための排気ポンプ3,44をそれぞれ備えた排ガス処理装置10を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体製造装置から排出される排ガスに含まれる有害ガス成分を除去する装置であって、 前記有害ガス成分の一部を除去する反応除去部Aと、 前記有害ガス成分の残部を活性化させる励起部と、 前記励起部で活性化された有害ガス成分を除去する反応除去部Bと、 前記半導体製造装置及び前記励起部を減圧するための排気ポンプをそれぞれ備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
IPC (2件)：
B01D 53/46 ,  B01D 53/34
FI (2件)：
B01D53/34 120A ,  B01D53/34
Fターム (12件)：
4D002AA22 ,  4D002AA23 ,  4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA03 ,  4D002BA09 ,  4D002BA12 ,  4D002CA13 ,  4D002DA05 ,  4D002DA11 ,  4D002DA12 ,  4D002EA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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