特許
J-GLOBAL ID：200903049533294515
多層高周波回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
葛野 信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321501
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、主としてマイクロ波帯、及びミリ波帯における半導体素子を含むモジュール用の多層高周波回路基板に関するもので、特に不要結合による高周波回路の特性劣化の少ない多層高周波回路基板に関する。【解決手段】 多層高周波回路基板の外表面上のバイアスパターン3a,3bと内層バイアスパターン9を接続するバイアス接続用スルーホール6を貫通させるために、第1の接地導体に開けた穴7の周辺に、第1と第2の接地導体4,5を接続する接地用スルーホール8を高周波信号の最高使用周波数における搬送波長の1/2以下の間隔で配置し、第1と第2の接地導体を高周波的に短絡することにより、バイアスパターンに漏れ込んだ高周波信号が、多層高周波回路基板の第1と第2の接地導体に挟まれた内層を伝搬線路とする不要伝搬モードの発生を抑える。
請求項（抜粋）：
多層誘電体基板の第1層の誘電体基板の外表面に高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路パターン及び電源または制御信号を伝送するバイアスパターンを、裏面に上記マイクロストリップ線路のグラウンドを構成する第1の接地導体を配置し、第2層から最下層までの誘電体基板には少なくとも電源または制御信号を伝送する内層バイアスパターンを配置し、上記第1層の誘電体基板の外表面のバイアスパターンと上記内層バイアスパターンとを接続する複数のバイアス接続用スルーホールを有し、上記最下層の誘電体基板の外表面に第2の接地導体を配置して構成される多層高周波回路基板であって、上記バイアス接続用スルーホールの周囲に、上記第1と第2の接地導体を接続した複数の接地用スルーホールを高周波信号の最高使用周波数における伝搬波長の1/2以下の間隔で配置したことを特徴とする多層高周波回路基板。
IPC (4件)：
H01P 1/00
, H01P 1/04
, H01P 3/08
, H05K 3/46
H01P 1/00 Z
, H01P 1/04
, H01P 3/08
, H05K 3/46 N
