特許
J-GLOBAL ID:200903049643378790
超純水製造方法及び装置並びに電子部品部材類の洗浄方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-288734
公開番号(公開出願番号):特開2009-112945
出願日: 2007年11月06日
公開日(公表日): 2009年05月28日
要約:
【課題】ホウ素濃度が1ng/L以下の超純水を安定して製造することができる超純水製造装置と、これを用いた超純水製造方法、電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置を提供する。【解決手段】アニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とを備えた混床式脱イオン装置16を最後段の脱イオン装置として設置した超純水製造装置において、該アニオン交換樹脂として、ホウ素含有量が規定値以下であることを確認したアニオン交換樹脂を用いる。規定値は、好ましくは50μg/L-アニオン交換樹脂(湿潤状態)である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アニオン交換樹脂を有する脱イオン装置を備えた超純水製造装置において、
該アニオン交換樹脂として、予めホウ素含有量を分析評価し、規定値以下であることを確認したアニオン交換樹脂を用いたことを特徴とする超純水製造装置。
IPC (2件):
FI (3件):
C02F1/42 A
, C02F1/42 B
, H01L21/304 647Z
Fターム (14件):
4D025AA04
, 4D025AB02
, 4D025AB34
, 4D025BA11
, 4D025BA13
, 4D025BB02
, 4D025BB04
, 4D025BB08
, 4D025BB18
, 4D025DA01
, 4D025DA04
, 4D025DA05
, 4D025DA10
, 5F157BE12
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
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