金属層-絶縁層-金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-327338
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158344
出願日： 2006年12月04日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】金属層-絶縁層-金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。【解決手段】本発明のストレージノードは、順次に積層された第1金属層、第1絶縁層及び第2金属層を備え、さらにナノ構造層を備える。また、本発明のメモリ素子は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結された上記に記載のストレージノードを含む。さらに、本発明の動作方法は、スイッチング素子とこれに連結されたストレージノードを備えるメモリ素子において、前記ストレージノードは順次に積層された第1金属層、第1絶縁層及び第2金属層を備え、さらにナノ構造層を備えるメモリ素子の動作方法において、前記スイッチング素子のチャンネルをオン(ON)状態に維持する段階と、前記ストレージノードに電圧を印加する段階と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

順次に積層された第1金属層、第1絶縁層及び第2金属層を備え、さらにナノ構造層を備えることを特徴とするストレージノード。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA17

引用特許：

審査官引用 (11件)

有機物双安定デバイス及び有機物メモリセル
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-540158 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
カーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-137261 出願人：三星電子株式会社
誘電体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-191416 出願人：三洋電機株式会社

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