特許
J-GLOBAL ID:200903049847762009
有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-253231
公開番号(公開出願番号):特開2007-067262
出願日: 2005年09月01日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】 簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】 下記一般式(1)または一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする有機半導体材料。 【化1】(式中、X1〜X4は互いに独立してSe(セレン原子)またはTe(テルル原子)を表し、nは2以上の整数である。構造式には置換基は記載していないが、本化合物は置換基で置換されていてもよい。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)または一般式(2)で表される化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (5件):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 51/50
FI (6件):
H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250G
, H01L29/28 310J
, H05B33/14 A
Fターム (35件):
3K007DB03
, 3K007FA01
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB02
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE07
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN72
, 5F110QQ14
引用特許:
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