多層構造ウエハーおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-066192
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227338
出願日： 2007年03月15日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】シリコン基板上に、γ-Al2O3層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なSOI基板を提供する。【解決手段】シリコン基板2の上面には、γ-Al2O3層4が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ-Al2O3層4の間から酸化シリコン層6が成長する。次に、γ-Al2O3層4の上面より単結晶シリコン層8が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないSOI基板を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶層であるシリコン層と、前記シリコン層の上面に形成された非晶質である酸化シリコン層と、前記シリコン層とは離間した状態でかつ、前記酸化シリコン層内に島状あるいは網状に存在する単結晶の酸化アルミニウム層とを備える多層構造ウエハーであって、前記酸化アルミニウム層は、前記酸化シリコン層から上面側に露出していることを特徴とする多層構造ウエハー。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/316 , C30B 25/18

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/316 S , H01L21/316 X , H01L21/316 M , C30B25/18

Fターム (38件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077BE05 , 4G077BE46 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077HA12 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AD14 , 5F045AE15 , 5F045AF07 , 5F045AF08 , 5F045AF12 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F058BA02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BH03 , 5F058BH10 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (9件)

電子デバイス用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-167686 出願人：ティーディーケイ株式会社
化合物半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-038821 出願人：旭化成工業株式会社, 石田誠
特開平4-188821

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