特許
J-GLOBAL ID：200903051080559754
キャリア誘起強磁性体を用いた強磁性共鳴周波数の制御方法及びそれを用いた周波数フィルタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
, 今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-100417
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286867
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 共鳴周波数を外部からの制御により変調可能な周波数フィルタを提供する。【解決手段】 n+-GaAsからなる導電性基板1上にi-AlGaAsからなる絶縁層3を積層し、次いで、強磁性半導体(GaAsに磁性金属であるMnをドーピングした半導体)Ga1-xMnxAs層の薄膜5をその上に積層した多層構造を有している。GaMnAsに特有な磁気異方性を利用して特定の方向へ磁化Mを向ける。GaMnAs層5に対して絶縁膜7を形成する。絶縁膜7上に、電界印加用の金属電極11を形成する。素子に対してマイクロ波を照射する。電場ベクトルが磁化と平行(磁場は直行)の場合は磁化と結合し、電場ベクトルが磁化と直交する場合は磁化と結合しない。外部磁場・磁化・異方性定数で決まる共鳴周波数ωがキャリア濃度を制御する制御手段により調整できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
キャリア誘起型強磁性体と、
該キャリア誘起型強磁性体のキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段と
を有する素子。
IPC (4件)：
H01P7/00
, H01F10/193
, H01F41/18
, H01P1/217
H01P7/00 B
, H01F10/193
, H01F41/18
, H01P1/217
5E049AB10
, 5E049BA29
, 5E049BA30
, 5E049CB01
, 5E049GC01
, 5J006HD03
, 5J006MA12
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (11件)
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