特許
J-GLOBAL ID：200903051670319406

パワー半導体モジュール

発明者：
大串 健次

大串 健次 について

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加藤 武士

加藤 武士 について

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東谷 義彦

東谷 義彦 について

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野中 賢一

野中 賢一 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (2件)： 下田 容一郎 ,  田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-189028
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012721
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 内部での不均一な熱分布や温度勾配を低減でき、半導体素子間の配線によるインダクタンス成分を低減することができ、パワー半導体素子の発熱条件に応じて効率よく冷却することができ、パワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 冷却用基体23と、この基体23の表裏の面の各々に実装される少なくとも2つのパワー半導体素子15,28とから構成されるパワー半導体モジュール10であって、パワー半導体素子15,28はIGBT15とダイオード28を含み、IGBT15は基体23の表裏の面の一方または他方に実装され、ダイオード28は基体23の表裏の面の一方または他方であって、基体23を間に介してIGBT15の実装位置に一致する位置に実装される。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
冷却用基体と、この基体の表裏の面の各々に実装される少なくとも2つのパワー半導体素子とから構成されるパワー半導体モジュールであって、 前記パワー半導体素子は、スイッチ機能を備えるスイッチング半導体素子と、ダイオードとを含み、 前記スイッチング半導体素子は前記基体の前記表裏の面の一方または他方に実装され、 前記ダイオードは前記基体の前記表裏の面の一方または他方であって、前記基体を間に介して前記スイッチング半導体素子の実装位置に一致する位置に実装される、 ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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