特許
J-GLOBAL ID：200903028177844222
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 山田 卓二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-124755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303290
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】ヒートシンクを設けることなく、冷却性能に優れた小型の半導体装置を実現する。【解決手段】 かかる半導体装置は、第1、第2のリードフレームと、互いに対向する第1、第2の主面に対して平行に延びる貫通孔を有する導電ベース板と、前記導電ベース板の前記第1、第2の主面上に配設された第1、第2の絶縁基板と、前記第1、第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1、第2の導電ブロックと、前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む第1の半導体チップと、前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む第2の半導体チップとを備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1および第2のリードフレームと、
互いに対向する第1および第2の主面を含み、該第1および第2の主面に対して実質的に平行に延びる少なくとも1つの貫通孔を有する導電ベース板と、
前記導電ベース板の前記第1および第2の主面上に配設された第1および第2の絶縁基板と、
前記第1のおよび第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1および第2の導電ブロックと、
前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む少なくとも1つの第1の半導体チップと、
前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む少なくとも1つの第2の半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/473
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/46 Z
, H01L25/04 C
5F136BB01
, 5F136CB11
, 5F136DA27
出願人引用 (5件)
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パワーモジュール
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-242944
出願人：ファナック株式会社
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特開平4-61364号公報
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半導体装置及びインバータ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-249476
出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (11件)
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