特許
J-GLOBAL ID：200903055816787208

キャパシタとその製造方法、及び半導体装置

発明者：
岩下 節也

岩下 節也 について

, 
野口 元久

野口 元久 について

, 
木島 健

木島 健 について

, 
▲濱▼田 泰彰

▲濱▼田 泰彰 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303173
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072474
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にしたキャパシタと、このキャパシタを低コストで製造することのできるキャパシタの製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。 【解決手段】 誘電体膜3を第1電極2と第2電極4との間に挟んだ構造を有するキャパシタ1である。誘電体膜3が、Pb(ZrxTiyMz)O3(ただし、MはNb、Ta、Vから選択された少なくとも一種であり、x+y+z=1)を主成分としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体膜を第1電極と第2電極との間に挟んだ構造を有するキャパシタであって、 前記誘電体膜が、Pb(ZrxTiyMz)O3(ただし、MはNb、Ta、Vから選択された少なくとも一種であり、x+y+z=1)を含むことを特徴とするキャパシタ。
IPC (7件)：
H01L21/822 ,  C04B35/49 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105
FI (6件)：
H01L27/04 C ,  C04B35/49 Z ,  H01G4/10 ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01G4/06 102
Fターム (51件)：
4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA06 ,  5E082AA20 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC39 ,  5E082CC20 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE27 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FF14 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG44 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082MM05 ,  5E082MM07 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083JA38 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM