半導体結晶化方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143070
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332235
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】半導体結晶化方法及び装置に関し、CW固体レーザを使用した場合でもスループットを高くすることができるようにすることを目的とする。【解決手段】複数のレーザ源から出射するレーザビームを複数のサブビームに分割し、該サブビームSBを基板の非晶質半導体の選択された部分40に照射して該半導体を結晶化させ、ビームエキスパンダを用いてレーザビーム間の拡がり角の差を補正する構成とする。

請求項（抜粋）：

レーザ源から出射するレーザビームを複数のサブビームに分割し、該サブビームを選択的に基板の非単結晶半導体に照射して、該半導体を結晶化する半導体結晶化方法において、複数の該レーザ源から発生させたレーザビームを同時に照射すると共に、該複数のレーザビーム間の拡がり角の差を補正することを特徴とする半導体結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G

Fターム (21件)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA07 , 5F052BA13 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07

引用特許：

審査官引用 (9件)

レーザアニーリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-335711 出願人：三菱電機株式会社
レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-059585 出願人：株式会社ジーティシー
ダブルビーム用精密可変型矩形ビーム光学系
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-194784 出願人：住友重機械工業株式会社

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