特許
J-GLOBAL ID：200903052873784810
酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-195732
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032919
出願日： 2007年07月27日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】デバイス特性のばらつきを抑制しつつ、耐久性を向上可能なSiC系酸化膜電界効果トランジスタ、およびデバイス特性のばらつきを抑制することが可能なSiC系酸化膜電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】MOSFET1は、n+SiC基板10と、n-SiC層20と、pウェル21と、n+ソース領域22と、絶縁層35とを備えている。一方のpウェル211および他方のpウェル212においては、pウェル21の中に配置される第1n+ソース領域221と、pウェル21の内部からpウェル21の外部にまで延在する第2n+ソース領域222とが、チャネル領域29を挟んで互いに対向するように配置されている。絶縁層35の厚みは、pウェル21の内部に位置するチャネル領域29上よりも、ウインドウ領域28上において大きくなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のSiC基板と、
前記SiC基板上に形成された前記第1導電型のSiC層と、
前記SiC層において、前記SiC基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成された、前記第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の第2導電型領域と、
前記SiC層において、前記第2の主面を含むように、前記第2導電型領域とは離れて形成された前記第2導電型の他の第2導電型領域と、
前記SiC層の前記第2の主面を含む領域に形成され、前記SiC層よりも高濃度の前記第1導電型の不純物を含む複数の高濃度第1導電型領域と、
前記第2の主面に接触するように前記SiC層上に形成され、絶縁体からなる絶縁層とを備え、
前記第2導電型領域においては、前記複数の高濃度第1導電型領域のうちの一対の組であって、前記第2導電型領域の中に配置される前記組のうちの一方の高濃度第1導電型領域と、前記第2導電型領域の内部から前記第2導電型領域の外部にまで延在する前記組のうちの他方の高濃度第1導電型領域とが、前記第2導電型領域の内部に位置するチャネル領域を挟んで互いに対向するように配置され、
前記他の第2導電型領域においては、前記複数の高濃度第1導電型領域のうちの、一対の前記組を構成する領域と異なる領域を少なくとも1つ含む一対の他の組であって、前記他の第2導電型領域の中に配置される前記他の組のうちの一方の高濃度第1導電型領域と、前記他の第2導電型領域の内部から前記他の第2導電型領域の外部にまで延在する前記他の組のうちの他方の高濃度第1導電型領域とが、前記他の第2導電型領域の内部に位置する他のチャネル領域を挟んで互いに対向するように配置され、
前記絶縁層は、前記チャネル領域上および前記他のチャネル領域上から前記第2導電型領域と前記他の第2導電型領域とに挟まれた領域であるウインドウ領域上にまで延在し、
前記絶縁層の厚みは、前記チャネル領域上および前記他のチャネル領域上よりも、前記ウインドウ領域上において大きくなっている、酸化膜電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652J
