特許
J-GLOBAL ID：200903052990384679
ポジ型レジスト材料
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331721
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160621
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】下記一般式(1)(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料に、更に窒素含有化合物を添加したことを特徴とするポジ型レジスト材料。【効果】高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れ、酸素プラズマエッチング耐性にも優れているため、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るポジ型レジスト材料を提供する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料に、更に窒素含有化合物を添加したことを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, G03F 7/075 521
, H01L 21/027
