特許
J-GLOBAL ID：200903053119933180

酸化物薄膜を製造する方法

発明者：
プーラン チャンドラ ジョシ

プーラン チャンドラ ジョシ について

, 
アポストロス ティー. ブートサス

アポストロス ティー. ブートサス について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-074134
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268798
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 薄膜酸化物を製造する方法を提供すること。【解決手段】 本方法は、基板を形成するステップと、高密度(HD)プラズマ源を用いて、360°C以下の温度で基板を処理するステップと、基板上に位置するM酸化物層を形成するステップであって、Mは、化学的に固体と定義され、かつ、+2〜+5の範囲の酸化状態を有する元素を含む群から選択された元素である、ステップとを包含する。いくつかの局面では、前記方法は、誘導結合プラズマ(ICP)源を用いる。いくつかの局面では、基板をプラズマ酸化するためにICP源が用いられる。他の局面では、基板上にM酸化物層を堆積するために、HDプラズマ化学気相成長法が用いられる。本方法のいくつかの局面では、Mはシリコンであり、シリコン層および酸化物層は、TFTに組み込まれる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
薄膜酸化物を製造する方法であって、該方法は、 基板を形成するステップと、 高密度(HD)プラズマ源を用いて、該基板を360°C以下の温度で処理するステップと、 該基板上に位置するM酸化物層を形成するステップであって、Mは、化学的に固体と定義され、かつ、+2〜+5の範囲の酸化状態を有する元素を含む群から選択される元素である、ステップと を包含する、方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V
Fターム (21件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110FF05 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)

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