特許
J-GLOBAL ID:200903053895058949

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-147631
公開番号(公開出願番号):特開2006-222470
出願日: 2006年05月29日
公開日(公表日): 2006年08月24日
要約:
【課題】複数の半導体チップを実装基板上に積層した半導体装置の個々のチップの接着性を向上させ、半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】実装基板1上の半導体チップ搭載領域に主として熱硬化性を有する樹脂よりなる接着材7を塗布し、半導体チップ3Aを搭載した後、熱処理することにより接着材7を硬化させ、常温まで自然冷却すると、実装基板1と半導体チップ3Aのα値の差により実装基板1等が凸型に反った形状となるが、この後、パッドP1とパッドPAとをワイヤボンディングし、その後、半導体チップ3A上に熱可塑性を有する樹脂よりなる接着材9Aを貼り付け、その上部にスペーサチップ5を熱圧着する。このように、熱圧着の際の熱で実装基板1や半導体チップ3Aがそれぞれほぼ平坦となり、半導体チップ3Aとスペーサチップ5の接着性が向上する。【選択図】図7
請求項(抜粋):
実装基板上に少なくとも第1および第2の半導体チップが積層された半導体装置であって、 (a)前記実装基板の直上に搭載された第1半導体チップは、主として熱硬化性を有する樹脂を介して固定され、 (b)前記第1半導体チップの上方に搭載された第2半導体チップは、熱可塑性を有する樹脂を介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/52 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (3件):
H01L21/52 D ,  H01L21/52 E ,  H01L25/08 Z
Fターム (5件):
5F047BA33 ,  5F047BA34 ,  5F047BA37 ,  5F047BA39 ,  5F047BC00
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る