特許
J-GLOBAL ID：200903053962371916
ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180258
公開番号（公開出願番号）：特開2004-354953
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】半導体集積回路のリソグラフィーによるパターン加工精度として90nm以下のライン・アンド・スペース(1:1)を良好な形状で達成可能なレジスト特性を有するホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体、(B)光照射により酸を発生する酸発生剤、及び(C)フッ素原子を有する溶解抑止剤を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体、(B)光照射により酸を発生する酸発生剤、及び(C)フッ素原子を有する溶解抑止剤を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F7/039
, C08F32/04
, C08F36/20
, G03F7/004
, H01L21/027
G03F7/039 601
, C08F32/04
, C08F36/20
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4J100AC26R
, 4J100AL03Q
, 4J100AR11P
, 4J100AS13P
, 4J100BA02P
, 4J100BA03P
, 4J100BA05P
, 4J100BB07P
, 4J100BB18P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA21
, 4J100JA38
