特許
J-GLOBAL ID：200903053967782299
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-105233
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286968
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 半導体基板に対しダイシングを行って高い寸法精度を有する半導体素子を作製可能とする共に、歩留まりの向上を可能とする。【解決手段】 表面に回路素子が形成された半導体基板に対しダイシングを行って半導体素子に個片化する半導体装置の製造方法が、前記基板の表面側のダイシングラインの両側において、前記基板の厚さの半分以下の深さまでダイシングをそれぞれ行う第1のダイシング工程と、前記基板の裏面側のスクライブラインの中心に一回でダイシングを行う第2のダイシング工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
一方の主面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板に対しダイシング処理を行い、前記半導体素子に個片化する方法であって、
前記半導体基板の一方の主面において隣接する半導体素子間に、当該半導体素子のそれぞれに近接する2つの切削溝を形成する第1の切削工程と、
前記半導体基板の他方の主面において、前記第1の切削工程により生じた2つの切削溝に対応してダイシングする第2の切削工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 F
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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