CMOSプロセス用金属ゲート・トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-552131
公開番号（公開出願番号）：特表2008-529274
出願日： 2005年12月16日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

半導体装置(100)を形成する方法は、第一領域(104)を備える半導体基板と、第一領域上にゲート誘電体(108)を形成するステップと、ゲート誘電体上に導電性金属酸化物(110)を形成するステップと、導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層(111)を形成するステップと、耐酸化バリア層上にキャッピング層(116)を形成するステップとを含む。一実施形態において、導電性金属酸化物はIrO2,MoO2及びRuO2であり、耐酸化バリア層はTiNを含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置を形成する方法であって、第一領域を有する半導体基板を提供するステップと、前記第一領域上にゲート誘電体を形成するステップと、前記ゲート誘電体上に導電性金属酸化物を形成するステップと、前記導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層を形成するステップと、前記耐酸化バリア層上にキャッピング層を形成するステップとを備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (3件)：

H01L27/08 321D , H01L29/78 301G , H01L29/58 G

Fターム (85件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA09 , 4M104BB21 , 4M104BB27 , 4M104BB29 , 4M104BB32 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD66 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA06 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA16 , 5F140BD04 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF23 , 5F140BF24 , 5F140BF25 , 5F140BF28 , 5F140BF30 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK33 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE14 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (9件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-091170 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-335709 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-008301 出願人：株式会社日立製作所

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